Datasheet DMG8880LSS - Diodes Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт DIO, 30 В, 11.6 А, SO8 — Даташит

Diodes DMG8880LSS

Наименование модели: DMG8880LSS

Купить DMG8880LSS на РадиоЛоцман.Цены — от 20 до 35 ₽ 15 предложений от 9 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 11.6A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, SOP-8
Akcel Весь мир	DMG8880LSS Diodes	от 20 ₽
Utmel Весь мир	DMG8880LSS Diodes	от 20 ₽
LifeElectronics Россия	DMG8880LSS Diodes	по запросу
T-electron Россия и страны СНГ	DMG8880LSS-13 Diodes	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт DIO, 30 В, 11.6 А, SO8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DMG8880LSS
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Features
· · · · · · · Low On-Resistance Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) "Green" Device (Note 2) Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
Mechanical Data

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 11.6 А
Drain Source Voltage Vds: 30 В
On Resistance Rds(on): 0.007 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
Рассеиваемая мощность: 1.43 Вт
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
Корпус транзистора: SOIC
Количество выводов: 8
SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)

RoHS: есть