Datasheet DMN3007LSS - Diodes Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 30 В, 16 А, SO8 — Даташит
Наименование модели: DMN3007LSS
![]() 12 предложений от 11 поставщиков Труба MOS, MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC | |||
DMN3007LSS-13 Diodes | 11 ₽ | ||
DMN3007LSS-13 Diodes | от 17 ₽ | ||
DMN3007LSS-13 Diodes | 17 ₽ | ||
DMN3007LSS-13 Diodes | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Diodes
Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 30 В, 16 А, SO8
Краткое содержание документа:
DMN3007LSS
SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Features
· Low On-Resistance · 7m @ VGS = 10V · 10m @ VGS = 4.5V Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2) "Green" Device (Note 4) Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
Mechanical Data
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 16 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 0.005 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Рассеиваемая мощность: 2.5 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
RoHS: есть