Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet DMN3007LSS - Diodes Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 30 В, 16 А, SO8 — Даташит

Diodes DMN3007LSS

Наименование модели: DMN3007LSS

14 предложений от 8 поставщиков
Power Field-Effect Transistor,
AiPCBA
Весь мир
DMN3007LSS-13
Diodes
13 ₽
ChipWorker
Весь мир
DMN3007LSS-13
Diodes
13 ₽
Utmel
Весь мир
DMN3007LSS-13
Diodes
от 16 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
DMN3007LSS-13
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 30 В, 16 А, SO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DMN3007LSS
SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Features
· Low On-Resistance · 7m @ VGS = 10V · 10m @ VGS = 4.5V Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2) "Green" Device (Note 4) Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
Mechanical Data

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 16 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.005 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Рассеиваемая мощность: 2.5 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet DMN3007LSS - Diodes MOSFET, N CH, W DIODE, 30 V, 16 A, SO8

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России