Datasheet DMN3110S - Diodes Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 3.3 А, SOT23 — Даташит
Наименование модели: DMN3110S
![]() 34 предложений от 13 поставщиков , Trans MOSFET N-CH 30V 32A 3Pin X2-DSN T/R | |||
DMN3110SQ-7 Diodes | от 15 ₽ | ||
DMN3110SQ-7 Diodes | от 15 ₽ | ||
DMN3110S-7 Diodes | от 17 ₽ | ||
DMN3110S-7 Diodes | 26 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Diodes
Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 3.3 А, SOT23
Краткое содержание документа:
DMN3110S
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Product Summary
V(BR)DSS RDS(ON) max 73m @ VGS = 10V ID max TA = 25°C 3.3A 2.7A
Features and Benefits
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 3.3 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 0.054 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Рассеиваемая мощность: 740 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
RoHS: есть