Datasheet DMN3115UDM - Diodes Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт ESD, 30 В, 3.2 А, SOT26 — Даташит
Наименование модели: DMN3115UDM
![]() 24 предложений от 14 поставщиков Труба MOS, DIODES INC. DMN3115UDM MOSFET Transistor, N Channel, 3.2A, 30V, 0.04Ω, 4.5V, 500mV | |||
DMN3115UDM-7 Diodes | 9.30 ₽ | ||
DMN3115UDM Vishay | 9.37 ₽ | ||
DMN3115UDM-7 Diodes | от 17 ₽ | ||
DMN3115UDM-7 Diodes | от 32 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Diodes
Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт ESD, 30 В, 3.2 А, SOT26
Краткое содержание документа:
DMN3115UDM
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Features
· Low On-Resistance · 60 m @ VGS = 4.5V · 80 m @ VGS = 2.5V · 130 m @ VGS = 1.5V Very Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance ESD Protected Gate Fast Switching Speed Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) "Green" Device (Note 2) Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
Mechanical Data
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 3.2 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 0.04 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Рассеиваемая мощность: 900 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-26
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
RoHS: есть