Datasheet DMN4800LSSL - Diodes Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 30 В, 8 А, SO8 — Даташит
Наименование модели: DMN4800LSSL
![]() 31 предложений от 14 поставщиков Полупроводники - Дискретные | |||
DMN4800LSSL-13 Diodes | 10 ₽ | ||
DMN4800LSSL-13 Diodes | от 16 ₽ | ||
DMN4800LSSL-13 Diodes | от 27 ₽ | ||
DMN4800LSSL-13 Diodes | 35 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Diodes
Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 30 В, 8 А, SO8
Краткое содержание документа:
DMN4800LSSL
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Product Summary
V(BR)DSS RDS(on) 14m @ VGS = 10V 30V 20m @ VGS = 4.5V 6.7A ID max TA = 25°C 8.0A
Features and Benefits
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 6.7 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 0.011 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.2 В
- Рассеиваемая мощность: 1.46 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
RoHS: есть