Datasheet Diodes ZVN4210GTA — Даташит
| Производитель | Diodes |
| Серия | ZVN4210G |
| Модель | ZVN4210GTA |
N-канальный режим расширения МОП-транзистор
Datasheets
Datasheet ZVN4210G
PDF, 473 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 27 дек 2019, Страниц: 5
SOT223 N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET
SOT223 N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET
Выписка из документа
 Купить ZVN4210GTA на РадиоЛоцман.Цены — от 13 до 142 ₽35 предложений от 16 поставщиков Силовой МОП-транзистор, режим обогащения, N Канал, 100 В, 800 мА, 1.5 Ом, SOT-223, Surface Mount | |||
| ZVN4210GTA Diodes | от 33 ₽ | ||
| ZVN4210GTA Diodes | от 66 ₽ | ||
| ZVN4210GTA Diodes | от 69 ₽ | ||
| ZVN4210GTA Diodes | от 114 ₽ | ||
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Корпус | SOT223 |
Параметры
| Automotive Compliant PPAP | On Request* |
| ESD Diodes | No |
| IDS @ TA = +25°C | 0.8 A |
| PD @ TA = +25°C | 2 W |
| Polarity | N |
| Qualified to AECQ10x | Yes |
| RDS(ON) Max @ VGS (10V) | 1500 mΩ |
| RDS(ON) Max @ VGS (4.5V) | 1800 mΩ |
| VDS | 100 V |
| VGS | 20 ±V |
| VGS (th) Max | 2.4 V |
Модельный ряд
Серия: ZVN4210G (1)
- ZVN4210GTA
Классификация производителя
- Discrete > MOSFETs > MOSFET Master Table
