Datasheet ZXMP10A18GTA - Diodes Даташит Полевой транзистор, P CH, 100 В, 2.6 А, SOT223 — Даташит
Наименование модели: ZXMP10A18GTA
![]() 29 предложений от 15 поставщиков Силовой МОП-транзистор, режим обогащения, P Канал, 100 В, 2.6 А, 0.15 Ом, SOT-223, Surface Mount | |||
ZXMP10A18GTA Diodes | от 159 ₽ | ||
ZXMP10A18GTA Diodes | от 196 ₽ | ||
ZXMP10A18GTA Zetex | по запросу | ||
ZXMP10A18GTA Diodes | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Diodes
Описание: Полевой транзистор, P CH, 100 В, 2.6 А, SOT223
Краткое содержание документа:
ZXMP10A18G
100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
SUMMARY V(BR)DSS = - 100V : RDS(on) = 0.150 DESCRIPTION
This new generation of Trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed.
This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.
; ID = - 3.7A
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -2.6 А
- Drain Source Voltage Vds: -100 В
- On Resistance Rds(on): 0.15 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Рассеиваемая мощность: 2 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-223
- Количество выводов: 4
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
RoHS: Y-Ex