Datasheet DMG1026UV - Diodes Даташит Полевой транзистор, NN CH, Вт ESD, 60 В, SOT563 — Даташит
Наименование модели: DMG1026UV
![]() 27 предложений от 13 поставщиков Труба MOS, DIODES INC. DMG1026UV MOSFET Transistor, Enhancement Mode, N Channel, 410mA, 60V, 1.2Ω, 10V, 500mV | |||
DMG1026UV-7 Diodes | от 11 ₽ | ||
DMG1026UV-7 Diodes | от 11 ₽ | ||
DMG1026UV-7 Diodes | от 19 ₽ | ||
DMG1026UV-7 Diodes | от 22 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Diodes
Описание: Полевой транзистор, NN CH, Вт ESD, 60 В, SOT563
Краткое содержание документа:
DMG1026UV
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Product Summary
V(BR)DSS RDS(ON) 1.8 @ VGS = 10V 60V 2.1 @ VGS = 4.5V 410mA ID TA = 25°C 440mA
Features and Benefits
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 410 мА
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 1.2 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Рассеиваемая мощность: 580 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-563
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Continuous Drain Current Id, N Channel: 410 мА
- Drain Source Voltage Vds, N Channel: 60 В
- Module Configuration: Dual
- On Resistance Rds(on), N Channel: 1.2 Ом
RoHS: есть