HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet DMG4822SSD - Diodes Даташит Полевой транзистор, NN CH, Вт DIO, 30 В, 10 А, SO8 — Даташит

Diodes DMG4822SSD

Наименование модели: DMG4822SSD

32 предложений от 15 поставщиков
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.02ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, SOP-8
AiPCBA
Весь мир
DMG4822SSD-13
Diodes
16 ₽
Akcel
Весь мир
DMG4822SSD-13
Diodes
от 18 ₽
HXD Co.
Весь мир
DMG4822SSD-13
Diodes
58 ₽
Allelco
Весь мир
DMG4822SSD
Diodes
по запросу
Пленочные конденсаторы Hongfa для источников питания и силовой электроники (Материалы вебинара)

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, NN CH, Вт DIO, 30 В, 10 А, SO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DMG4822SSD
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Product Summary
V(BR)DSS 30V RDS(ON) max 20m @ VGS = 10V ID max TA = 25°C 10A
Features and Benefits

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 10 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0134 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Рассеиваемая мощность: 1.42 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
  • Continuous Drain Current Id, N Channel: 10 А
  • Drain Source Voltage Vds, N Channel: 30 В
  • Module Configuration: Dual
  • On Resistance Rds(on), N Channel: 0.0134 Ом

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet DMG4822SSD - Diodes MOSFET, NN CH, W DIO, 30 V, 10 A, SO8

Электронные компоненты. Скидки 20%, кэшбэк 15% и бесплатная доставка от ТМ Электроникс
Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring