Datasheet DMG4822SSD - Diodes Даташит Полевой транзистор, NN CH, Вт DIO, 30 В, 10 А, SO8 — Даташит
Наименование модели: DMG4822SSD
![]() 30 предложений от 13 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — массивы | |||
DMG4822SSD-13 Diodes | от 6.87 ₽ | ||
DMG4822SSD-13 Diodes | 14 ₽ | ||
DMG4822SSD-13 Diodes | от 21 ₽ | ||
DMG4822SSD-13 Diodes | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Diodes
Описание: Полевой транзистор, NN CH, Вт DIO, 30 В, 10 А, SO8
Краткое содержание документа:
DMG4822SSD
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Product Summary
V(BR)DSS 30V RDS(ON) max 20m @ VGS = 10V ID max TA = 25°C 10A
Features and Benefits
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 10 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 0.0134 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Рассеиваемая мощность: 1.42 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Continuous Drain Current Id, N Channel: 10 А
- Drain Source Voltage Vds, N Channel: 30 В
- Module Configuration: Dual
- On Resistance Rds(on), N Channel: 0.0134 Ом
RoHS: есть