Datasheet DMN3033LSD - Diodes Даташит Полевой транзистор, NN CH, Вт DIOD, 30 В, 6.9 А, SO8 — Даташит

Купить DMN3033LSD на РадиоЛоцман.Цены — от 16 до 1 833 ₽ 26 предложений от 12 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 30V, 0.033ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, SOP-8
AiPCBA Весь мир	DMN3033LSD-13 Diodes	16 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	DMN3033LSD-13 Diodes	17 ₽	Купить
Akcel Весь мир	DMN3033LSD Diodes	от 173 ₽	Купить
Utmel Весь мир	DMN3033LSD Diodes	от 177 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, NN CH, Вт DIOD, 30 В, 6.9 А, SO8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DMN3033LSD
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
Please click here to visit our online spice models database.
Features
· · Dual N-Channel MOSFET Low On-Resistance · 22m @ VGS = 10V · 33m @ VGS = 4.5V Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2) "Green" Device (Note 4) Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 6.9 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 0.022 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Рассеиваемая мощность: 2 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
• Continuous Drain Current Id, N Channel: 6.9 А
• Drain Source Voltage Vds, N Channel: 30 В
• Module Configuration: Dual
• On Resistance Rds(on), N Channel: 0.022 Ом

RoHS: есть