Datasheet DMP3056LSD - Diodes Даташит Полевой транзистор, PP CH, Вт DIO, 30 В, 6.9 А, SO8 — Даташит
Наименование модели: DMP3056LSD
![]() 45 предложений от 18 поставщиков Двойной МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 6.9 А, 0.045 Ом, SOIC, Surface Mount | |||
DMP3056LSD-13 Diodes | от 45 ₽ | ||
DMP3056LSD-13 Diodes | 55 ₽ | ||
DMP3056LSD | 1 361 ₽ | ||
DMP3056LSD-13 Diodes | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Diodes
Описание: Полевой транзистор, PP CH, Вт DIO, 30 В, 6.9 А, SO8
Краткое содержание документа:
DMP3056LSD
DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
Please click here to visit our online spice models database.
Features
· · Dual P-Channel MOSFET Low On-Resistance · 45m @ VGS = -10V · 65m @ VGS = -4.5V Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2) "Green" Device (Note 4) Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -6.9 А
- Drain Source Voltage Vds: -30 В
- On Resistance Rds(on): 0.045 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
- Рассеиваемая мощность: 2.5 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Continuous Drain Current Id, P Channel: -6.9 А
- Drain Source Voltage Vds, P Channel: -30 В
- Module Configuration: Dual
- On Resistance Rds(on), P Channel: 0.045 Ом
RoHS: есть