Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet ZXMC4A16DN8TA - Diodes Даташит Полевой транзистор, NP CH, 40 В, 5.2A/4.7A, SO8 — Даташит

Diodes ZXMC4A16DN8TA

Наименование модели: ZXMC4A16DN8TA

10 предложений от 10 поставщиков
Труба MOS, Trans MOSFET N/P-CH 40V 5.2A/4.7A 8Pin SOIC T/R
ЧипСити
Россия
ZXMC4A16DN8TA
Diodes
33 ₽
Hi-Tech Circuit Group
Весь мир
ZXMC4A16DN8TA
Diodes
по запросу
Lixinc Electronics
Весь мир
ZXMC4A16DN8TA
по запросу
Augswan
Весь мир
ZXMC4A16DN8TA
Diodes
по запросу
Многослойные керамические конденсаторы от лидеров азиатского рынка

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, NP CH, 40 В, 5.2A/4.7A, SO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXMC4A16DN8
COMPLEMENTARY 40V ENHANCEMENT MODE MOSFET
SUMMARY N-Channel = V(BR)DSS= 40V : RDS(on)= 0.05 ; ID= 5.2A P-Channel = V(BR)DSS= -40V : RDS(on)= 0.06 ; ID= -4.7A DESCRIPTION
This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilises a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed.

This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.
SO8

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual
  • Полярность транзистора: N and P Channel
  • Continuous Drain Current Id: 5.2 А
  • Drain Source Voltage Vds: 40 В
  • On Resistance Rds(on): 0.05 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Рассеиваемая мощность: 1.25 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet ZXMC4A16DN8TA - Diodes MOSFET, NP CH, 40 V, 5.2A/4.7A, SO8

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка