Datasheet ZXMC4A16DN8TA - Diodes Даташит Полевой транзистор, NP CH, 40 В, 5.2A/4.7A, SO8 — Даташит
Наименование модели: ZXMC4A16DN8TA
![]() 11 предложений от 11 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N/P-CH 40V 5.2A/4.7A 8Pin SOIC T/R | |||
ZXMC4A16DN8TA Diodes | 75 ₽ | ||
ZXMC4A16DN8TA | по запросу | ||
ZXMC4A16DN8TA Diodes | по запросу | ||
ZXMC4A16DN8TA Diodes | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Diodes
Описание: Полевой транзистор, NP CH, 40 В, 5.2A/4.7A, SO8
Краткое содержание документа:
ZXMC4A16DN8
COMPLEMENTARY 40V ENHANCEMENT MODE MOSFET
SUMMARY N-Channel = V(BR)DSS= 40V : RDS(on)= 0.05 ; ID= 5.2A P-Channel = V(BR)DSS= -40V : RDS(on)= 0.06 ; ID= -4.7A DESCRIPTION
This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilises a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed.
This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.
SO8
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: N and P Channel
- Continuous Drain Current Id: 5.2 А
- Drain Source Voltage Vds: 40 В
- On Resistance Rds(on): 0.05 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Рассеиваемая мощность: 1.25 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
RoHS: есть