Datasheet ZXMHC3A01T8TA - Diodes Даташит Полевой транзистор, COMP, H/BRIDE, 30 В, SO8 — Даташит

Купить ZXMHC3A01T8TA на РадиоЛоцман.Цены — от 24 до 155 ₽ 28 предложений от 13 поставщиков Транзисторы - Двойные МОП-транзисторы
ChipWorker Весь мир	ZXMHC3A01T8TA Diodes	64 ₽	Купить
Maybo Весь мир	ZXMHC3A01T8TA Diodes	132 ₽	Купить
Augswan Весь мир	ZXMHC3A01T8TA Diodes	по запросу	Купить
727GS Весь мир	ZXMHC3A01T8TA Diodes	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, COMP, H/BRIDE, 30 В, SO8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXMHC3A01T8
COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE
SUMMARY N-Channel = V(BR)DSS= 30V : RDS(on)= 0.12 ; ID= 3.1A P-Channel = V(BR)DSS= -30V : RDS(on)= 0.21 ; ID= -2.3A
DESCRIPTION
This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed.

This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.

Спецификации:

• Module Configuration: Half Bridge
• Полярность транзистора: N and P Channel
• Continuous Drain Current Id: 3.1 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 0.12 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Рассеиваемая мощность: 1.3 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)

RoHS: есть