Datasheet ZXMHC3A01T8TA - Diodes Даташит Полевой транзистор, COMP, H/BRIDE, 30 В, SO8 — Даташит

Diodes ZXMHC3A01T8TA

Наименование модели: ZXMHC3A01T8TA

Купить ZXMHC3A01T8TA на РадиоЛоцман.Цены — от 42 до 7 023 ₽ 26 предложений от 12 поставщиков Транзистор: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8
Стандарт СИЗ Россия	ZXMHC3A01T8TA Diodes	42 ₽
Akcel Весь мир	ZXMHC3A01T8TA Diodes	от 131 ₽
ЧипСити Россия	ZXMHC3A01T8TA Diodes	132 ₽
ChipWorker Весь мир	ZXMHC3A01T8TA Diodes	141 ₽

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, COMP, H/BRIDE, 30 В, SO8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXMHC3A01T8
COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE
SUMMARY N-Channel = V(BR)DSS= 30V : RDS(on)= 0.12 ; ID= 3.1A P-Channel = V(BR)DSS= -30V : RDS(on)= 0.21 ; ID= -2.3A
DESCRIPTION
This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed.

This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.

Спецификации:

Module Configuration: Half Bridge
Полярность транзистора: N and P Channel
Continuous Drain Current Id: 3.1 А
Drain Source Voltage Vds: 30 В
On Resistance Rds(on): 0.12 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Рассеиваемая мощность: 1.3 Вт
Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
Корпус транзистора: SOIC
Количество выводов: 8
SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)

RoHS: есть