Datasheet PMGD400UN - NXP Даташит Полевой транзистор, NN CH, 30 В, 0.71 А, SOT363 — Даташит
Наименование модели: PMGD400UN
![]() 22 предложений от 15 поставщиков Транзисторы - Двойные МОП-транзисторы | |||
PMGD400UN-VB | 142 ₽ | ||
PMGD400UN,115 NXP | от 277 ₽ | ||
PMGD400UN,115 NXP | по запросу | ||
PMGD400UN,115 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, NN CH, 30 В, 0.71 А, SOT363
Краткое содержание документа:
PMGD400UN
Dual N-channel µTrenchMOSTM ultra low level FET
MBD128
Rev.
01 -- 3 March 2004
Product data
Спецификации:
- Module Configuration: Dual N Channel
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 710 мА
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 0.4 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
- Рассеиваемая мощность: 410 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-363
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
- Electrolube - SMA10SL