HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet PMGD400UN - NXP Даташит Полевой транзистор, NN CH, 30 В, 0.71 А, SOT363 — Даташит

NXP PMGD400UN

Наименование модели: PMGD400UN

16 предложений от 10 поставщиков
Dual N-channel TrenchMOS ultra low level FET TSSOP 6-Pin
ЧипСити
Россия
PMGD400UN,115
NXP
32 ₽
AiPCBA
Весь мир
PMGD400UN,115
NXP
35 ₽
ChipWorker
Весь мир
PMGD400UN,115
NXP
35 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
PMGD400UN T/R
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, NN CH, 30 В, 0.71 А, SOT363

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMGD400UN
Dual N-channel µTrenchMOSTM ultra low level FET
MBD128
Rev.

01 -- 3 March 2004
Product data

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual N Channel
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 710 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.4 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
  • Рассеиваемая мощность: 410 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-363
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
  • Electrolube - SMA10SL

На английском языке: Datasheet PMGD400UN - NXP MOSFET, NN CH, 30 V, 0.71 A, SOT363

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России