Datasheet BUK7Y12-55B - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 55 В, 61.8 А, LFPAK — Даташит
Наименование модели: BUK7Y12-55B
![]() 38 предложений от 17 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 55 В, 61.8 А, 0.0082 Ом, LFPAK56, Surface Mount | |||
BUK7Y12-55B.115 Nexperia | 29 ₽ | ||
BUK7Y12-55B,115 Nexperia | от 119 ₽ | ||
BUK7Y12-55B,115 NXP | 123 ₽ | ||
BUK7Y12-55B,115 NXP | 158 ₽ |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 55 В, 61.8 А, LFPAK
Краткое содержание документа:
BUK7Y12-55B
N-channel TrenchMOS standard level FET
Rev.
03 -- 7 April 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 61.8 А
- Drain Source Voltage Vds: 55 В
- On Resistance Rds(on): 0.0082 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Рассеиваемая мощность: 105 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Корпус транзистора: LFPAK
- Количество выводов: 4
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
BUK7Y1255B, BUK7Y12 55B