Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Datasheet PMN28UN - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 12 В, 5.7 А, SOT457 — Даташит

NXP PMN28UN

Наименование модели: PMN28UN

18 предложений от 18 поставщиков
MOSFET N-CH 12V 5.7A 6TSOP. N-Channel 12V 5.7A (Tc) 1.75W (Tc) Surface Mount 6-TSOP. Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Элитан
Россия
PMN28UN
NXP
41 ₽
SUV System
Весь мир
PMN28UN,135
Nexperia
по запросу
Augswan
Весь мир
PMN28UN,115
NXP
по запросу
Hi-Tech Circuit Group
Весь мир
PMN28UN,135
Nexperia
по запросу
Эффективные решения на базе SiC: новые возможности для российской электроники

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 12 В, 5.7 А, SOT457

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMN28UN
TrenchMOSTM ultra low level FET
M3D302
Rev.

01 -- 27 September 2002
Product data

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 5.7 А
  • Drain Source Voltage Vds: 12 В
  • On Resistance Rds(on): 0.028 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
  • Рассеиваемая мощность: 1.75 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-457
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
  • Electrolube - SMA10SL

На английском языке: Datasheet PMN28UN - NXP MOSFET, N CH, 12 V, 5.7 A, SOT457

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка