Datasheet PMGD290XN - NXP Даташит Полевой транзистор, NN CH, 20 В, 0.86 А, SOT363 — Даташит
Наименование модели: PMGD290XN
![]() 51 предложений от 21 поставщиков Двойной МОП-транзистор, N Канал, 20 В, 200 мА, 0.29 Ом, SOT-363, Surface Mount | |||
PMGD290XN,115 Nexperia | от 8.82 ₽ | ||
PMGD290XN NXP | от 8.87 ₽ | ||
PMGD290XN115 NXP | по запросу | ||
PMGD290XN NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, NN CH, 20 В, 0.86 А, SOT363
Краткое содержание документа:
PMGD290XN
Dual N-channel µTrenchMOSTM extremely low level FET
MBD128
Rev.
01 -- 26 February 2004
Product data
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
- Рассеиваемая мощность: 410 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-363
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Continuous Drain Current Id: 860 мА
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- Module Configuration: Dual N Channel
- On Resistance Rds(on): 0.29 Ом
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
- Fairchild - FDV305N