Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet PMGD290XN - NXP Даташит Полевой транзистор, NN CH, 20 В, 0.86 А, SOT363 — Даташит

NXP PMGD290XN

Наименование модели: PMGD290XN

37 предложений от 17 поставщиков
TRANSISTOR 860 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SC-88, 6 PIN, FET General Purpose Small Signal...
Akcel
Весь мир
PMGD290XN
NXP
от 3.39 ₽
Utmel
Весь мир
PMGD290XN
NXP
от 3.40 ₽
Элитан
Россия
PMGD290XN
NXP
17 ₽
PMGD290XN,115
Nexperia
от 20 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, NN CH, 20 В, 0.86 А, SOT363

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMGD290XN
Dual N-channel µTrenchMOSTM extremely low level FET
MBD128
Rev.

01 -- 26 February 2004
Product data

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
  • Рассеиваемая мощность: 410 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-363
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
  • Continuous Drain Current Id: 860 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • Module Configuration: Dual N Channel
  • On Resistance Rds(on): 0.29 Ом

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
  • Fairchild - FDV305N

На английском языке: Datasheet PMGD290XN - NXP MOSFET, NN CH, 20 V, 0.86 A, SOT363

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России