Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet PMGD280UN - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 20 В, 0.87 А, SOT363 — Даташит

NXP PMGD280UN

Наименование модели: PMGD280UN

32 предложений от 14 поставщиков
Двойной МОП-транзистор, N Канал, 20 В, 200 мА, 0.28 Ом, SOT-363, Surface Mount
AiPCBA
Весь мир
PMGD280UN,115
TE Connectivity
6.07 ₽
ChipWorker
Весь мир
PMGD280UN115
NXP
11 ₽
Элитан
Россия
PMGD280UN
NXP
23 ₽
PMGD280UN,115
Nexperia
от 32 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 20 В, 0.87 А, SOT363

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMGD280UN
Dual N-channel µTrenchMOSTM ultra low level FET
MBD128
Rev.

01 -- 10 February 2004
Product data

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 870 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on): 0.28 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
  • Рассеиваемая мощность: 400 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-363
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet PMGD280UN - NXP MOSFET, N CH, 20 V, 0.87 A, SOT363

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России