Datasheet PMGD280UN - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 20 В, 0.87 А, SOT363 — Даташит

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 20 В, 0.87 А, SOT363

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMGD280UN
Dual N-channel µTrenchMOSTM ultra low level FET
MBD128
Rev.

01 -- 10 February 2004
Product data

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 870 мА
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 0.28 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
• Рассеиваемая мощность: 400 мВт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-363
• Количество выводов: 6
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)

RoHS: есть