Datasheet PMGD280UN - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 20 В, 0.87 А, SOT363 — Даташит
Наименование модели: PMGD280UN
![]() 37 предложений от 18 поставщиков Двойной МОП-транзистор, N Канал, 20 В, 200 мА, 0.28 Ом, SOT-363, Surface Mount | |||
PMGD280UN,115 Nexperia | от 12 ₽ | ||
PMGD280UN NXP | 13 ₽ | ||
PMGD280UN,115 Nexperia | от 27 ₽ | ||
PMGD280UN,115 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 20 В, 0.87 А, SOT363
Краткое содержание документа:
PMGD280UN
Dual N-channel µTrenchMOSTM ultra low level FET
MBD128
Rev.
01 -- 10 February 2004
Product data
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 870 мА
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 0.28 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
- Рассеиваемая мощность: 400 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-363
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
RoHS: есть