Datasheet DMMT5551S - Diodes Даташит TRANS, NPNNPN MAT, 180 В, 0.2 А, SOT26 — Даташит
Наименование модели: DMMT5551S
![]() 49 предложений от 24 поставщиков Массив биполярных транзисторов, NPN, 160 В, 200 мА, 300 мВт, 80 hFE, SOT-26 | |||
DMMT5551 Diodes | 12 ₽ | ||
DMMT5551S-7-F Diodes | от 18 ₽ | ||
DMMT5551-7-F Diodes | от 27 ₽ | ||
DMMT5551-7 Diodes | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Diodes
Описание: TRANS, NPNNPN MAT, 180 В, 0.2 А, SOT26
Краткое содержание документа:
DMMT5551/DMMT5551S
MATCHED NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
Features
· · · · · · · Epitaxial Planar Die Construction Complementary PNP Type Available (DMMT5401) Ideal for Low Power Amplification and Switching Intrinsically Matched NPN Pair (Note 1) 2% Matched Tolerance, hFE, VCE(SAT), VBE(SAT) Lead Free/RoHS Compliant (Note 4) "Green" Device (Note 5 and 6)
A
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 160 В
- Рассеиваемая мощность: 300 мВт
- DC Collector Current: 200 мА
- DC Current Gain: 80
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-26
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
RoHS: есть