Datasheet КП540 — Даташит
N-канальный МОП ПТ
Подробное описание
Типовые применения следующие: высокочастотные импульсные источники питания, системы преобразователей и инверторов для управления скоростью электродвигателей постоянного и переменного тока, высокочастотные генераторы для индукционного нагрева, ультразвуковые генераторы, звуковые усилители, периферийные устройства для компьютеров, оборудование для телекоммуникаций и различная техника для военных и космических целей.
Основные характеристики
- Высокие динамические характеристики
- Рабочая температура кристалла 150°C
- Низкое сопротивление во включенном состоянии
- Низкая мощность управления
- Высокое коммутируемое напряжение
 |
 |
Расположение выводов
|
Максимально допустимые значения
| Параметр | Макс |
Единицы измерения |
|
| ID@TС=25°C | Постоянный ток стока | 28 | А |
| ID@TС=70°C | Постоянный ток стока | 20 | А |
| IDМ | Импульсный ток стока (1) | 110 | А |
| РD@TС=25°C | Рассеиваемая мощность | 150 | Вт |
| Линейное снижение мощности рассеивания от температуры | 1.0 | Вт/°C | |
| VGS | Напряжение затвор-исток | +-20 | В |
| ЕAR | Энергия пробоя одиночным импульсом (2) | 230 | мДж |
| IAR | Ток лавинного пробоя (1) | 28 | А |
| ЕАR |
Энергия пробоя повторяющимися импульсами (1) |
15 | мДж |
| dv/dt |
Скорость нарастания напряжения на закрытом диоде (3) |
5.5 | В/нс |
|
ТJ TSTG |
Диапазон температур функционирования и хранения прибора |
-55 - 150 | °C |
| Температура пайки при времени менее 10 сек. | 300 | °C |
Тепловое сопротивление
| Параметр | Мин. | Тип. | Макс. | Ед.изм. | |
| RJC | Тепловое сопротивление кристалл-корпус | - | - | 1.0 | °C/Вт |
| RCS | Корпус-теплоотвод | - | 0.50 | - | °C/Вт |
| RJA | Тепловое сопротивление кристалл-окр.среда | - | - | 62 | °C/Вт |
Электрические характеристики
TJ=25°C (если не указано другое)
| Параметр | Мин. | Тип. | Макс. | Ед.изм. | Режим измерения | |
| V(BR)DSS | Максимальное напряжение сток-исток | 100 | - | - | В |
VGS=0B ID=250mkA |
| V(BR)DSS/TJ |
Температурный коэффициент максимального напряжения |
- | 0.13 | - | В/°C |
T=25°C, ID=1mA |
| RDS(ON) | Сопротивление сток-исток | - | - | 0.077 | Ом |
VGS=10B (4), ID=3.4A |
| VGS(th) | Пороговое напряжение на затворе | 2.0 | - | 4.0 | B |
VDS=VGS ID=3.4A |
| gfs | Крутизна характеристики | 8.7 | - | - | А/В |
VDS=50B, ID=3.4A (4) |
| IDSS | Остаточный ток стока | - | - | 25 | мкА |
VDS=100B VGS=0B |
| - | - | 250 |
VDS=80B, VGS-0B, TJ=150°C |
|||
| IGSS | Ток утечки затвора (прямой) | - | - | 100 | нА | VGS=20B |
| Ток утечки затвора (обратный) | - | - | -100 | VGS=-20B | ||
| Qg | Суммарный заряд затвора | - | - | 72 | нКл |
ID=5.6A, VDS=80B VGS=10B (4) |
| Qgs | Заряд затвор-исток | - | - | 11 | ||
| Qgd | Заряд затвор-сток | - | - | 32 | ||
| td(on) | Время задержки вкл. | - | 11 | - | нс |
VDD=50B ID=5.6A RG=24 Ом RD=8.4 Ом (4) |
| tr | Время нарастания | - | 44 | - | ||
| td(off) | Время задержки выкл. | - | 53 | - | ||
| tf | Время спада | - | 43 | - | ||
| LD | Внутренняя индуктивность стока | - | 4.5 | - | нГн |
Между выводами при 6мм от корпуса до центра к.п. |
| LS | Внутренняя индуктивность истока | - | 7.5 | - | ||
| Ciss | Входная емкость | - | 1700 | - | пФ |
VGS=0B VDS=25B f=1.0 МГц |
| Сoss | Выходная емкость | - | 560 | - | ||
| Crss | Проходная емкость | - | 120 | - |
Характеристики исток-стока
| Параметр | Мин. | Тип. | Макс. | Ед.изм. | Режим измерения | |
| IS | Постоянный ток истока (через встроенный диод) | - | - | 28 | А | |
| ISM | Импульсный ток истока (через встроенный диод) (1) | - | - | 110 | ||
| VSD | Прямое напряжение на диоде | - | - | 2.5 | В |
TJ=25°C IS=5.6A VGS=0B (4) |
| trr | Время восстановления | - | 180 | 360 | нс |
TJ=25°C IF=5.6A di/dt=100A/мкс (4) |
| Qrr | Заряд рассасывания | - | 1.3 | 2.8 | мкКл |
Примечания
- частота следования; длительность импульса ограничена максимальной температурой кристалла.
- VDD=25B, начало TJ=25°C, L=4.8 мГн RG=25 Ом, IAS=5.6A
- ISD<5.6A, di/dt<75A/мкс, VDD<V(BR)DSS TJ<150°C
- длительность импульса <300мкс, коэффициент заполнения <2%
Чертеж корпуса
