Datasheet IRG4PH50S-EPBF - International Rectifier Даташит Одиночный IGBT, 18 В, 57 А — Даташит
Наименование модели: IRG4PH50S-EPBF
![]() 12 предложений от 11 поставщиков Транзистор IGBT, INFINEON IRG4PH50S-EPBF IGBT Single Transistor, Standard Speed, N-CH, 57A, 1.75V, 200W, 1.2kV, TO-247AD, 3Pins | |||
IRG4PH50S-EPBF Infineon | 79 ₽ | ||
IRG4PH50S-EPBF Infineon | 491 ₽ | ||
IRG4PH50S-EPBF, IGBT 1200В 33А 1кГц ТО247АD Infineon | 642 ₽ | ||
IRG4PH50S-EPBF Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Одиночный IGBT, 18 В, 57 А
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 57 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.2 кВ
- Рассеиваемая мощность: 200 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 18 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+155°C
RoHS: есть
Варианты написания:
IRG4PH50SEPBF, IRG4PH50S EPBF