Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet NX3008CBKS - NXP Даташит Полевой транзистор, N/P CH, 30/30 В, 350/200 мА, SOT363 — Даташит

NXP NX3008CBKS

Наименование модели: NX3008CBKS

40 предложений от 16 поставщиков
Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, 30 В, 350 мА, 1 Ом, SOT-363, Surface Mount
AiPCBA
Весь мир
NX3008CBKS,115
Micron
4.94 ₽
ChipWorker
Весь мир
NX3008CBKS,115
Micron
5.05 ₽
NX3008CBKS,115
Nexperia
от 58 ₽
Триема
Россия
NX3008CBKS,115
Nexperia
80 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N/P CH, 30/30 В, 350/200 мА, SOT363

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NX3008CBKS
30 / 30 V, 350 / 200 mA N/P-channel Trench MOSFET
Rev.

1 -- 29 July 2011 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N and P Complement
  • Continuous Drain Current Id: 350 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 1 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 900 мВ
  • Рассеиваемая мощность: 280 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-363
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet NX3008CBKS - NXP MOSFET, N/P CH, 30/30 V, 350/200 mA, SOT363

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России