Datasheet NX3008CBKS - NXP Даташит Полевой транзистор, N/P CH, 30/30 В, 350/200 мА, SOT363 — Даташит
Наименование модели: NX3008CBKS
![]() 59 предложений от 22 поставщиков MOSFET N/P-CH 30V 6TSSOP. Mosfet Array N and P-Channel 30V 350mA, 200mA 445mW Surface Mount 6-TSSOP. Transistors - FETs, MOSFETs -... | |||
NX3008CBKS,115 Micron | 4.24 ₽ | ||
NX3008CBKS,115 Nexperia | от 4.30 ₽ | ||
NX3008CBKS NXP | 6.70 ₽ | ||
NX3008CBKS,115 Nexperia | от 25 ₽ |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N/P CH, 30/30 В, 350/200 мА, SOT363
Краткое содержание документа:
NX3008CBKS
30 / 30 V, 350 / 200 mA N/P-channel Trench MOSFET
Rev.
1 -- 29 July 2011 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N and P Complement
- Continuous Drain Current Id: 350 мА
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 1 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 900 мВ
- Рассеиваемая мощность: 280 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-363
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
RoHS: есть