Datasheet NX3008CBKV - NXP Даташит Полевой транзистор, N/P CH, 30/30 В, 400/220 мА, SOT666 — Даташит
Наименование модели: NX3008CBKV
![]() 36 предложений от 14 поставщиков Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, 30 В, 400 мА, 1 Ом, SOT-666, Surface Mount | |||
NX3008CBKV,115 Nexperia | от 7.00 ₽ | ||
NX3008CBKV NXP | 12 ₽ | ||
NX3008CBKV.115 | 585 ₽ | ||
NX3008CBKV,115 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N/P CH, 30/30 В, 400/220 мА, SOT666
Краткое содержание документа:
SO T6
NX3008CBKV
30 / 30 V, 400 / 220 mA N/P-channel Trench MOSFET
Rev.
1 -- 29 July 2011 Product data sheet
1. Product profile
Спецификации:
- Полярность транзистора: N and P Complement
- Continuous Drain Current Id: 400 мА
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 1 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 900 мВ
- Рассеиваемая мощность: 330 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-666
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
RoHS: есть