Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet NX3008CBKV - NXP Даташит Полевой транзистор, N/P CH, 30/30 В, 400/220 мА, SOT666 — Даташит

NXP NX3008CBKV

Наименование модели: NX3008CBKV

32 предложений от 13 поставщиков
Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, 30 В, 400 мА, 1 Ом, SOT-666, Surface Mount
AiPCBA
Весь мир
NX3008CBKV,115
TE Connectivity
7.61 ₽
ChipWorker
Весь мир
NX3008CBKV115
NXP
7.78 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
NX3008CBKV.115
670 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
NX3008CBKV115
NXP
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N/P CH, 30/30 В, 400/220 мА, SOT666

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SO T6
NX3008CBKV
30 / 30 V, 400 / 220 mA N/P-channel Trench MOSFET
Rev.

1 -- 29 July 2011 Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N and P Complement
  • Continuous Drain Current Id: 400 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 1 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 900 мВ
  • Рассеиваемая мощность: 330 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-666
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet NX3008CBKV - NXP MOSFET, N/P CH, 30/30 V, 400/220 mA, SOT666

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России