Datasheet NX3008PBKS - NXP Даташит Полевой транзистор, P CH, 30 В, 200 мА, SOT363 — Даташит
Наименование модели: NX3008PBKS
![]() 45 предложений от 20 поставщиков MOSFET P-CH 30V TO-236AB. P-Channel 30V 230mA (Ta) 350mW (Ta), 1.14W (Tc) Surface Mount TO-236AB. Transistors - FETs, MOSFETs - Single... | |||
NX3008PBK/DG/B2215 Rochester Electronics | 2.43 ₽ | ||
NX3008PBK,215 Nexperia | от 4.65 ₽ | ||
NX3008PBK Nexperia | по запросу | ||
NX3008PBK,215 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, P CH, 30 В, 200 мА, SOT363
Краткое содержание документа:
NX3008PBKS
30 V, 200 mA dual P-channel Trench MOSFET
Rev.
1 -- 1 August 2011 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: Dual P Channel
- Continuous Drain Current Id: -200 мА
- Drain Source Voltage Vds: -30 В
- On Resistance Rds(on): 2.8 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -900 мВ
- Рассеиваемая мощность: 280 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-363
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
RoHS: есть