HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet NX3008PBKT - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 200 мА, SOT416 — Даташит

NXP NX3008PBKT

Наименование модели: NX3008PBKT

10 предложений от 10 поставщиков
NX3008PBKT - 30 V, 200 mA P-channel Trench MOSFET SC-75 3-Pin
AiPCBA
Весь мир
NX3008PBKT,115
NXP
13 ₽
ChipWorker
Весь мир
NX3008PBKT,115
NXP
13 ₽
Acme Chip
Весь мир
NX3008PBKT
Nexperia
по запросу
Utmel
Весь мир
NX3008PBKT,115
NXP
по запросу
Какими будут станции зарядки электромобилей в 2030 году: лучшие решения и мировой опыт для отечественных разработок

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 200 мА, SOT416

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SO T4 16
NX3008PBKT
30 V, 200 mA P-channel Trench MOSFET
Rev.

1 -- 1 August 2011 Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -200 мА
  • Drain Source Voltage Vds: -30 В
  • On Resistance Rds(on): 2.8 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -900 мВ
  • Рассеиваемая мощность: 250 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-416
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet NX3008PBKT - NXP MOSFET, N CH, 30 V, 200 mA, SOT416

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России