Datasheet NX3008PBKV - NXP Даташит Полевой транзистор, P CH, 30 В, 220 мА, SOT666 — Даташит
Наименование модели: NX3008PBKV
![]() 42 предложений от 17 поставщиков Двойной МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 220 мА, 2.8 Ом, SOT-666, Surface Mount | |||
NX3008PBKV,115 Nexperia | от 12 ₽ | ||
NX3008PBKV,115 Nexperia | от 15 ₽ | ||
NX3008PBKV,115 Nexperia | от 23 ₽ | ||
NX3008PBKV,115 NXP | 29 ₽ |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, P CH, 30 В, 220 мА, SOT666
Краткое содержание документа:
SO T6
NX3008PBKV
30 V, 220 mA dual P-channel Trench MOSFET
Rev.
1 -- 29 July 2011 Product data sheet
1. Product profile
Спецификации:
- Полярность транзистора: Dual P Channel
- Continuous Drain Current Id: -220 мА
- Drain Source Voltage Vds: -30 В
- On Resistance Rds(on): 2.8 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -900 мВ
- Рассеиваемая мощность: 330 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-666
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
RoHS: есть