Datasheet PMDT290UCE - NXP Даташит Полевой транзистор, N/P CH, 20/20 В, 800/550 мА, SOT666 — Даташит
Наименование модели: PMDT290UCE
![]() 42 предложений от 17 поставщиков Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, 20 В, 800 мА, 0.29 Ом, SOT-666, Surface Mount | |||
PMDT290UCE Nexperia | от 10 ₽ | ||
PMDT290UCE,115 Nexperia | 32 ₽ | ||
PMDT290UCE NXP | по запросу | ||
PMDT290UCE115 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N/P CH, 20/20 В, 800/550 мА, SOT666
Краткое содержание документа:
SO T6
PMDT290UCE
20 / 20 V, 800 / 550 mA N/P-channel Trench MOSFET
Rev.
1 -- 6 October 2011 Product data sheet
1. Product profile
Спецификации:
- Полярность транзистора: N and P Complement
- Continuous Drain Current Id: 800 мА
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 0.29 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 750 мВ
- Рассеиваемая мощность: 330 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-666
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
RoHS: есть