Datasheet PMDT290UNE - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 20 В, 800 мА, SOT666 — Даташит
Наименование модели: PMDT290UNE
![]() 36 предложений от 16 поставщиков Двойной МОП-транзистор, N Канал, 20 В, 800 мА, 0.29 Ом, SOT-666, Surface Mount | |||
PMDT290UNE,115 NXP | 11 ₽ | ||
PMDT290UNE NXP | 15 ₽ | ||
PMDT290UNE,115 ITT Cannon | 27 ₽ | ||
PMDT290UNE,115 Nexperia | 37 ₽ |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 20 В, 800 мА, SOT666
Краткое содержание документа:
SO T6
PMDT290UNE
20 V, 800 mA dual N-channel Trench MOSFET
Rev.
1 -- 13 September 2011 Product data sheet
1. Product profile
Спецификации:
- Полярность транзистора: Dual N Channel
- Continuous Drain Current Id: 800 мА
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 0.29 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 750 мВ
- Рассеиваемая мощность: 500 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-666
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
RoHS: есть