Datasheet PMDT670UPE - NXP Даташит Полевой транзистор, P CH, сдвоенный, 20 В, 550 мА, SOT666 — Даташит
Наименование модели: PMDT670UPE
![]() 29 предложений от 15 поставщиков Двойной МОП-транзистор, P Канал, 20 В, 550 мА, 0.67 Ом, SOT-666, Surface Mount | |||
PMDT670UPE,115 TE Connectivity | 5.33 ₽ | ||
PMDT670UPE,115 Nexperia | 22 ₽ | ||
PMDT670UPE,115 Nexperia | от 26 ₽ | ||
PMDT670UPE115 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, P CH, сдвоенный, 20 В, 550 мА, SOT666
Краткое содержание документа:
SO T6
PMDT670UPE
20 V, 550 mA dual P-channel Trench MOSFET
Rev.
1 -- 13 September 2011 Product data sheet
1. Product profile
Спецификации:
- Полярность транзистора: Dual P Channel
- Continuous Drain Current Id: -550 мА
- Drain Source Voltage Vds: -20 В
- On Resistance Rds(on): 0.67 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -800 мВ
- Рассеиваемая мощность: 500 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-666
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
RoHS: есть