Datasheet PMG85XP - NXP Даташит Полевой транзистор, P CH, сдвоенный, 20 В, 2 А, SOT363 — Даташит
Наименование модели: PMG85XP
![]() 22 предложений от 13 поставщиков Труба MOS, P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 (SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench... | |||
PMG85XP125 NXP | 3.79 ₽ | ||
PMG85XP,115 NXP | 4.07 ₽ | ||
PMG85XP,115 Nexperia | от 13 ₽ | ||
PMG85XP125 | 306 ₽ |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, P CH, сдвоенный, 20 В, 2 А, SOT363
Краткое содержание документа:
TS SO P6
PMG85XP
20 V, 2 A P-channel Trench MOSFET
Rev.
1 -- 28 June 2011 Product data sheet
1. Product profile
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -2 А
- Drain Source Voltage Vds: -20 В
- On Resistance Rds(on): 0.09 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -900 мВ
- Рассеиваемая мощность: 375 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-363
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
RoHS: есть