Datasheet PMN20EN - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 30 В, 6.7 А, SOT457 — Даташит
Наименование модели: PMN20EN
![]() 14 предложений от 14 поставщиков Транзисторы - МОП-транзисторы | |||
PMN20EN NXP | 7.90 ₽ | ||
PMN20EN115 NXP | 14 ₽ | ||
PMN20EN NXP | 25 ₽ | ||
PMN20EN,115 NXP | 51 ₽ |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 30 В, 6.7 А, SOT457
Краткое содержание документа:
SO T4 57
PMN20EN
30 V, 6.7 A N-channel Trench MOSFET
Rev.
1 -- 30 May 2011 Product data sheet
1. Product profile
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 6.7 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 0.016 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
- Рассеиваемая мощность: 545 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-457
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
RoHS: есть