Datasheet PMN25EN - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 30 В, 6.2 А, SOT457 — Даташит
Наименование модели: PMN25EN
![]() 15 предложений от 15 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 6Pin TSOP T/R | |||
PMN25EN NXP | 6.52 ₽ | ||
PMN25EN,115 NXP | 6.52 ₽ | ||
PMN25EN115 NXP | 39 ₽ | ||
PMN25EN,115 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 30 В, 6.2 А, SOT457
Краткое содержание документа:
SO T4 57
PMN25EN
30 V, 6.2 A N-channel Trench MOSFET
Rev.
1 -- 29 August 2011 Product data sheet
1. Product profile
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 6.2 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 0.02 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
- Рассеиваемая мощность: 540 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-457
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
RoHS: есть