Datasheet PMN25UN - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 20 В, 6 А, SOT457 — Даташит
Наименование модели: PMN25UN
![]() 12 предложений от 12 поставщиков Труба MOS, PMN25UN - 20V,6A N沟道Trench MOSFET | |||
PMN25UN,115 NXP | 6.52 ₽ | ||
PMN25UN NXP | 6.52 ₽ | ||
PMN25UN115 NXP | 10 ₽ | ||
PMN25UN,115 NXP | 55 ₽ |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 20 В, 6 А, SOT457
Краткое содержание документа:
SO T4 57
PMN25UN
20 V, 6 A N-channel Trench MOSFET
Rev.
1 -- 28 July 2011 Product data sheet
1. Product profile
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 6 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 0.023 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
- Рассеиваемая мощность: 530 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-457
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
RoHS: есть