Источники питания Keen Side

Datasheet PMN25UN - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 20 В, 6 А, SOT457 — Даташит

NXP PMN25UN

Наименование модели: PMN25UN

12 предложений от 12 поставщиков
Труба MOS, PMN25UN - 20V,6A N沟道Trench MOSFET
IC Home
Весь мир
PMN25UN,115
NXP
6.52 ₽
Lixinc Electronics
Весь мир
PMN25UN
NXP
6.52 ₽
ChipWorker
Весь мир
PMN25UN115
NXP
10 ₽
ЧипСити
Россия
PMN25UN,115
NXP
55 ₽

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 20 В, 6 А, SOT457

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SO T4 57
PMN25UN
20 V, 6 A N-channel Trench MOSFET
Rev.

1 -- 28 July 2011 Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 6 А
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on): 0.023 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
  • Рассеиваемая мощность: 530 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-457
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet PMN25UN - NXP MOSFET, N CH, DUAL, 20 V, 6 A, SOT457

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка