Datasheet PMN35EN - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 30 В, 5.1 А, SOT457 — Даташит
Наименование модели: PMN35EN
![]() 14 предложений от 14 поставщиков Compliant Surface Mount 1.7 mm 1 mm 3.1 mm No SVHC SOT-457 6 | |||
PMN35EN,115 NXP | 4.89 ₽ | ||
PMN35EN,115 NXP | 14 ₽ | ||
PMN35EN125 | 769 ₽ | ||
PMN35EN125 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 30 В, 5.1 А, SOT457
Краткое содержание документа:
SO T4 57
PMN35EN
30 V, 5.1 A N-channel Trench MOSFET
Rev.
1 -- 20 July 2011 Product data sheet
1. Product profile
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 5.1 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 0.025 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
- Рассеиваемая мощность: 500 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-457
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
RoHS: есть