Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet PMN35EN - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 30 В, 5.1 А, SOT457 — Даташит

NXP PMN35EN

Наименование модели: PMN35EN

14 предложений от 11 поставщиков
5100mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SC-74, TSOP-6
AiPCBA
Весь мир
PMN35EN125
NXP
8.01 ₽
ChipWorker
Весь мир
PMN35EN125
NXP
8.01 ₽
ЭИК
Россия
PMN35EN,115
NXP
15 ₽
Flash-Turtle
Весь мир
PMN35EN,115
NXP
по запросу
Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 30 В, 5.1 А, SOT457

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SO T4 57
PMN35EN
30 V, 5.1 A N-channel Trench MOSFET
Rev.

1 -- 20 July 2011 Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 5.1 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.025 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
  • Рассеиваемая мощность: 500 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-457
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet PMN35EN - NXP MOSFET, N CH, DUAL, 30 V, 5.1 A, SOT457

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России