Datasheet PMN35EN - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 30 В, 5.1 А, SOT457 — Даташит

Купить PMN35EN на РадиоЛоцман.Цены — от 5.02 до 80 ₽ 14 предложений от 14 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
Lixinc Electronics Весь мир	PMN35EN,115 Rochester Electronics	5.02 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	PMN35EN125 NXP	7.53 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	PMN35EN,125 NXP	8.78 ₽	Купить
ЭлектроПласт Россия	PMN35EN,125 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 30 В, 5.1 А, SOT457

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SO T4 57
PMN35EN
30 V, 5.1 A N-channel Trench MOSFET
Rev.

1 -- 20 July 2011 Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 5.1 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 0.025 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
• Рассеиваемая мощность: 500 мВт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-457
• Количество выводов: 6
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

RoHS: есть