Datasheet PMR670UPE - NXP Даташит Полевой транзистор, P CH, сдвоенный, 20 В, 480 мА, SOT416 — Даташит

Купить PMR670UPE на РадиоЛоцман.Цены 10 предложений от 10 поставщиков MOSFET P-CH 20V 480MA SC-75. P-Channel 20V 480mA (Ta) 250mW (Ta), 770mW (Tc) Surface Mount SC-75. Transistors - FETs, MOSFETs -...
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	PMR670UPE,115 NXP	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	PMR670UPE,115 NXP	по запросу	Купить
727GS Весь мир	PMR670UPE,115 NXP	по запросу	Купить
Hi-Tech Circuit Group Весь мир	PMR670UPE,115 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, P CH, сдвоенный, 20 В, 480 мА, SOT416

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SO T4 16
PMR670UPE
20 V, 480 mA P-channel Trench MOSFET
Rev.

1 -- 13 September 2011 Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: -480 мА
• Drain Source Voltage Vds: -20 В
• On Resistance Rds(on): 0.67 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: -800 мВ
• Рассеиваемая мощность: 250 мВт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-416
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

RoHS: есть