Datasheet PMR670UPE - NXP Даташит Полевой транзистор, P CH, сдвоенный, 20 В, 480 мА, SOT416 — Даташит
Наименование модели: PMR670UPE
![]() 13 предложений от 12 поставщиков MOSFET P-CH 20V 480MA SC-75 | |||
PMR670UPE NXP | 5.02 ₽ | ||
PMR670UPE,115 NXP | от 153 ₽ | ||
PMR670UPE.115 NXP | по запросу | ||
PMR670UPE NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, P CH, сдвоенный, 20 В, 480 мА, SOT416
Краткое содержание документа:
SO T4 16
PMR670UPE
20 V, 480 mA P-channel Trench MOSFET
Rev.
1 -- 13 September 2011 Product data sheet
1. Product profile
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -480 мА
- Drain Source Voltage Vds: -20 В
- On Resistance Rds(on): 0.67 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -800 мВ
- Рассеиваемая мощность: 250 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-416
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
RoHS: есть