Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet PMR670UPE - NXP Даташит Полевой транзистор, P CH, сдвоенный, 20 В, 480 мА, SOT416 — Даташит

NXP PMR670UPE

Наименование модели: PMR670UPE

8 предложений от 8 поставщиков
MOSFET P-CH 20V 480MA SC-75
AiPCBA
Весь мир
PMR670UPE
NXP
5.74 ₽
ChipWorker
Весь мир
PMR670UPE
NXP
5.82 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
PMR670UPE115
NXP
по запросу
ЗУМ-СМД
Россия
PMR670UPE,115
NXP
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, P CH, сдвоенный, 20 В, 480 мА, SOT416

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SO T4 16
PMR670UPE
20 V, 480 mA P-channel Trench MOSFET
Rev.

1 -- 13 September 2011 Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -480 мА
  • Drain Source Voltage Vds: -20 В
  • On Resistance Rds(on): 0.67 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -800 мВ
  • Рассеиваемая мощность: 250 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-416
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet PMR670UPE - NXP MOSFET, P CH, DUAL, 20 V, 480 mA, SOT416

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России