LinTai: качественные китайские корпуса и каркасы

Datasheet PMT21EN - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 30 В, 7.4 А, SOT223 — Даташит

NXP PMT21EN

Наименование модели: PMT21EN

11 предложений от 8 поставщиков
Small Signal Field-Effect Transistor
AiPCBA
Весь мир
PMT21EN135
NXP
13 ₽
ChipWorker
Весь мир
PMT21EN135
NXP
13 ₽
ЧипСити
Россия
PMT21EN
NXP
39 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
PMT21EN115
NXP
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 30 В, 7.4 А, SOT223

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SO T2
PMT21EN
30 V, 7.4 A N-channel Trench MOSFET
Rev.

1 -- 30 August 2011 Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 7.4 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.018 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
  • Рассеиваемая мощность: 820 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-223
  • Количество выводов: 4
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet PMT21EN - NXP MOSFET, N CH, DUAL, 30 V, 7.4 A, SOT223

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России