Datasheet PMT29EN - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 30 В, 6 А, SOT223 — Даташит
Наименование модели: PMT29EN
![]() 12 предложений от 11 поставщиков NXP PMT29EN MOSFET Transistor, N Channel, 6A, 30V, 0.024Ω, 10V, 1.5V | |||
PMT29EN,115 NXP | 8.15 ₽ | ||
PMT29EN135 NXP | 12 ₽ | ||
PMT29EN | по запросу | ||
PMT29EN,135 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 30 В, 6 А, SOT223
Краткое содержание документа:
SO T2
PMT29EN
30 V, 6 A N-channel Trench MOSFET
Rev.
1 -- 31 August 2011 Product data sheet
1. Product profile
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 6 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 0.024 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
- Рассеиваемая мощность: 820 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-223
- Количество выводов: 4
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
RoHS: есть