OKW: приборные корпуса из Германии

Datasheet AUIRF7341Q - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, NN CH, 55 В, 5.1 А, SO8 — Даташит

International Rectifier AUIRF7341Q

Наименование модели: AUIRF7341Q

8 предложений от 8 поставщиков
MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
ЧипСити
Россия
AUIRF7341Q
Infineon
124 ₽
AiPCBA
Весь мир
AUIRF7341Q
Infineon
134 ₽
ChipWorker
Весь мир
AUIRF7341Q
Infineon
135 ₽
ТаймЧипс
Россия
AUIRF7341Q
International Rectifier
по запросу
Какими будут станции зарядки электромобилей в 2030 году: лучшие решения и мировой опыт для отечественных разработок

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, NN CH, 55 В, 5.1 А, SO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
AUTOMOTIVE MOSFET
PD - 96362A
AUIRF7341Q
HEXFET® Power MOSFET
8 7

Спецификации:

  • Полярность транзистора: Dual N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 5.1 А
  • Drain Source Voltage Vds: 55 В
  • On Resistance Rds(on): 0.043 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Рассеиваемая мощность: 2.4 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +175°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Module Configuration: Dual N Channel

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet AUIRF7341Q - International Rectifier MOSFET, NN CH, 55 V, 5.1 A, SO8

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России