Datasheet PHT4NQ10T - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 3.5 А, SOT223 — Даташит
Наименование модели: PHT4NQ10T
Купить PHT4NQ10T на РадиоЛоцман.Цены — от 27 до 271 ₽ 21 предложений от 15 поставщиков NEXPERIA - PHT4NQ10T,135 - MOSFET Transistor, N Channel, 1.75 A, 100 V, 0.2 ohm, 10 V, 3 V | |||
| PHT4NQ10T.135 Nexperia | 27 ₽ | ||
| PHT4NQ10T NXP | 38 ₽ | ||
| PHT4NQ10T135 Philips | по запросу | ||
| PHT4NQ10T NXP | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 3.5 А, SOT223
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
PHT4NQ10T
TrenchMOSTM standard level FET
M3D087
Rev.
02 -- 2 May 2002
Product data
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 3.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 0.2 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Рассеиваемая мощность: 6.9 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-223
- Количество выводов: 4
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
RoHS: есть
