Datasheet ZVN4525E6TA - Diodes Даташит Полевой транзистор, N CH, 250 В, 0.23 А, SOT23 — Даташит
Наименование модели: ZVN4525E6TA
![]() 32 предложений от 15 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 0,23А; 1,1Вт; SOT26 | |||
ZVN4525E6TA Diodes | 32 ₽ | ||
ZVN4525E6TA Diodes | 42 ₽ | ||
ZVN4525E6TA Diodes | 67 ₽ | ||
ZVN4525E6TA Diodes | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Diodes
Описание: Полевой транзистор, N CH, 250 В, 0.23 А, SOT23
Краткое содержание документа:
ZVN4525E6
250V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
SUMMARY
( DESCRIPTION This 250V enhancement mode N-channel MOSFET provides users with a competitive specification offering efficient power handling capability, high impedance and is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown.
Applications benefiting from this device include a variety of Telecom and general high voltage circuits. SOT89 and SOT223 versions are also available. FEATURES · · · · · · · · · · · · High voltage Low on-resistance Fast switching speed Low gate drive Low threshold Complementary P-channel Type ZVP4525E6 SOT23-6 package
SOT23-6
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 230 мА
- Drain Source Voltage Vds: 250 В
- On Resistance Rds(on): 5.6 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.4 В
- Рассеиваемая мощность: 1.1 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
RoHS: есть