Degson: клеммы, корпуса, источники питания

Datasheet BFR31 - NXP Даташит — Даташит

NXP BFR31

Наименование модели: BFR31

26 предложений от 21 поставщиков
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 10 мА, 250 мВт
BFR31.215
NXP
5.93 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
BFR31.215
NXP
14 ₽
ЧипСити
Россия
BFR31,215
NXP
30 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
BFR31T/R
NXP
по запросу
Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Подробное описание

Производитель: NXP

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BFR30; BFR31 N-channel field-effect transistors
Product specification Supersedes data of April 1991 1997 Dec 05
NXP Semiconductors

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 5 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 25 В
  • Рассеиваемая мощность: 250 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Current Id Max: 10 мА
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Способ монтажа: SMD
  • Voltage Vds Typ: 25 В
  • Voltage Vgs Max: 25 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet BFR31 - NXP

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России