Datasheet BFR31 - NXP Даташит — Даташит
Наименование модели: BFR31
![]() 28 предложений от 25 поставщиков Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 10 мА, 250 мВт | |||
BFR31,215 NXP | от 17 ₽ | ||
BFR31 NXP | 48 ₽ | ||
BFR31T1 NXP | по запросу | ||
BFR31LT1 ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BFR30; BFR31 N-channel field-effect transistors
Product specification Supersedes data of April 1991 1997 Dec 05
NXP Semiconductors
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 5 мА
- Drain Source Voltage Vds: 25 В
- Рассеиваемая мощность: 250 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: 10 мА
- Тип корпуса: SOT-23
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 25 В
- Voltage Vgs Max: 25 В
RoHS: есть