Datasheet NTLJD3119CTAG - ON Semiconductor Даташит Полевой транзистор, NP, 20 В, 6 вывод DFN — Даташит

Купить NTLJD3119CTAG на РадиоЛоцман.Цены — от 7.27 до 535 ₽ 11 предложений от 9 поставщиков Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6Pin WDFN T/R
727GS Весь мир	NTLJD3119CTAG ON Semiconductor	от 7.27 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	NTLJD3119CTAG ON Semiconductor	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	NTLJD3119CTAG ON Semiconductor	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	NTLJD3119CTAG ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Полевой транзистор, NP, 20 В, 6 вывод DFN

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTLJD3119C Power MOSFET
Features
20 V/-20 V, 4.6 A/-4.1 A, mCoolt Complementary, 2x2 mm, WDFN Package
· Complementary N-Channel and P-Channel MOSFET · WDFN Package with Exposed Drain Pad for Excellent Thermal · · · · ·
Conduction Footprint Same as SC-88 Package Leading Edge Trench Technology for Low On Resistance 1.8 V Gate Threshold Voltage Low Profile (< 0.8 mm) for Easy Fit in Thin Environments This is a Pb-Free Device

Спецификации:

• Полярность транзистора: N and P Channel
• Continuous Drain Current Id: 4.6 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 65 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
• Рассеиваемая мощность: 2.3 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: DFN
• Количество выводов: 6
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Id Max: 3.8 А
• Тип корпуса: DFN
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 20 В
• Voltage Vgs Max: 700 мВ
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть