Datasheet SIHB22N60E-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 21 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: SIHB22N60E-GE3
![]() 40 предложений от 16 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 21 А, 0.15 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount | |||
SIHB22N60E-GE3 Vishay | от 105 ₽ | ||
SIHB22N60E-GE3 Vishay | 153 ₽ | ||
SIHB22N60E-GE3 RST | по запросу | ||
SIHB22N60E-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 21 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
SiHB22N60E
www.vishay.com
Vishay Siliconix
E Series Power MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 21 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On Resistance Rds(on): 0.15 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Рассеиваемая мощность: 227 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-263
- Количество выводов: 3
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
RoHS: есть
Варианты написания:
SIHB22N60EGE3, SIHB22N60E GE3