Datasheet SIHB24N65E-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, 650 В, 24 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: SIHB24N65E-E3
![]() 12 предложений от 10 поставщиков Труба MOS, VISHAY SIHB24N65E-E3 Power MOSFET, N Channel, 24A, 650V, 0.12Ω, 10V, 2V | |||
SIHB24N65E-E3 | 77 ₽ | ||
SIHB24N65E-E3 Vishay | от 267 ₽ | ||
SIHB24N65E-E3 Vishay | от 7 441 ₽ | ||
SIHB24N65E-E3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, 650 В, 24 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
SiHB24N65E
www.vishay.com
Vishay Siliconix
E Series Power MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 24 А
- Drain Source Voltage Vds: 650 В
- On Resistance Rds(on): 0.12 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Рассеиваемая мощность: 250 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-263
- Количество выводов: 3
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
RoHS: есть
Варианты написания:
SIHB24N65EE3, SIHB24N65E E3